[发明专利]微机电系统开关无效
| 申请号： | 200480031843.2 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1875446A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 桥村昭范;内藤康幸;中村邦彦;中西淑人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种容易制造且表现出适当导通/截止(ON/OFF)电容变化率的精细MEMS开关。该MEMS开关包括：基板(46)；导电梁(42)，形成在基板的表面上；三层结构梁(B1、B2)，形成在基板的表面上并且设置来与导电梁相对。该MEMS开关的特征在于，三层结构梁包括第一导电层(38、40)、第二导电层(30、32)和夹置在第一导电层和第二导电层之间的介电层(34、36)，第一导电层与导电梁(42)相对，导电梁(42)和三层结构梁中至少一个由于静电力在平行于基板的平面上移位，使得导电梁(42)和第一导电层(38、40)彼此接触，以及其中，当导电梁(42)和第一导电层(38、40)彼此接触时，导电路径形成在导电梁(42)和第二导电层(30、32)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 开关 | ||
【主权项】：
1、一种MEMS开关，包括：基板；导电梁，形成在所述基板的表面上；三层结构梁，形成在所述基板的表面上并且设置来与所述导电梁相对；其中，所述三层结构梁包括第一导电层、第二导电层和夹置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的介电层，其中，所述第一导电层与所述导电梁相对，其中，所述导电梁和所述三层结构梁中至少一个由于静电力在平行于所述基板的平面上移位，使得所述导电梁和第一导电层彼此接触，以及其中，当所述导电梁和所述第一导电层彼此接触时，导电路径形成在所述导电梁和所述第二导电层之间。
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