[发明专利]半导体存储器及其脉冲串操作方法无效
| 申请号： | 200480031869.7 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1875427A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 砂永登志男;细川浩二;宫武久忠;中村裕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种可以增加脉冲串长度但不增加消耗电流的PSRAM及其脉冲串操作方法。在读出放大器启动的过程中驱动列选择线CSL1和CSL2。这使得以四个位开关为单元接通位开关BSW1至BSW8，然后以四个位为单元将8位的读数据RD从位线对BL1至BL8锁存到预取/预载锁存器PFPLL1至PFPLL8中。8位的读数据RD以位为单元被顺序地连续地输出到单个数据I/O总线I/O1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 脉冲 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：数据I/O总线；共同地连接到所说的数据I/O总线中的每一个的多个锁存电路；存储器单元阵列，包括多个位线对、连接在所说的多个锁存电路和所说的多个位线对之间并被划分为多个组的多个位开关、对应于所说的多个组设置的并且分别被连接到在对应的组中包括的多个位开关的多个列选择线和连接到所说的多个位线对的多个读出放大器；启动所说的读出放大器的读出放大器启动装置；驱动所说的列选择线的列解码器；和控制所说的列解码器以便在所说的读出放大器的启动的过程中顺序地驱动两个或更多个所说的列选择线的控制装置。
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