[发明专利]形成用于CMOS器件的应变Si的方法和结构有效
| 申请号： | 200480031952.4 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101164157A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 安·L.·斯蒂根;海宁·S.·杨;张郢 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造器件的方法，所述器件包括n型和p型器件。在本发明的一方面中，该方法涉及对半导体衬底的一部分掺杂、以及通过去除半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分而在半导体衬底中形成间隙。该方法还涉及在半导体衬底的至少一部分间隙中生长应变层。对于n型器件，应变层生长在位于n型器件沟道基本上正下方的至少一部分上。对于p型器件，应变层生长在位于p型器件的源区或漏区基本上正下方但基本上不位于p型器件的沟道下方的至少一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 cmos 器件 应变 si 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造器件的方法，该器件包括n型器件和p型器件，所述方法包括：对半导体衬底的一部分掺杂；通过去除所述半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分在所述半导体衬底中形成间隙；以及在所述半导体衬底的间隙的至少一部分中生长应变层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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