[发明专利]绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法有效
| 申请号： | 200480031953.9 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1875473A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈自强;盖伊·科恩;亚历山大·雷茨尼采克;德温得拉·萨达纳;加瓦姆·沙赫迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L31/0232;H01L21/324;H01L21/265;H01L21/306;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上硅锗 sgoi goi 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包含：半导电或非半导电衬底；位于衬底的上表面上的埋置绝缘层；位于埋置绝缘层的上表面上的中间粘合层；以及位于中间粘合层的上表面上的含锗层，其中，所述含锗层被中间粘合层附加到埋置绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480031953.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于提供装置的操作模式之间转换的系统
- 下一篇：太阳能收集器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
