[发明专利]发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200480032007.6 申请日: 2004-12-14
公开(公告)号: CN1875491A 公开(公告)日: 2006-12-06
发明(设计)人: 赫贝特·布伦纳;哈拉尔德·雅格;约尔格·埃里希·佐尔格 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L31/0203
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王艳江;杨生平
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及发射辐射和/或接收辐射的半导体组件,该组件具有发射辐射和/或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件,该模制件对于由半导体组件待发射和/或待接收的电磁辐射是可穿透的,并且半导体芯片借助该模制件至少部分地再成形,该组件还具有外部的电气端子,这些端子与半导体芯片的电气触点表面电气相连。该塑料模制件由一种反应硬化的硅模制材料构成。此外还说明了制造这种半导体组件的方法。
搜索关键词: 发射 辐射 接收 半导体 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.发射辐射和/或接收辐射的半导体组件,该组件具有发射辐射和/或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件,该模制件对于由半导体组件待发射和/或待接收的电磁辐射是可穿透的,并且半导体芯片由该模制件至少部分地再成形,该组件还具有外部的电气端子,这些端子与半导体芯片的电气触点表面电气相连,其特征在于,塑料模制件由一种反应硬化的硅模塑材料构成。
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