[发明专利]电容器结构、粗糙的含硅表面与形成粗糙的含硅表面的方法无效
| 申请号： | 200480032073.3 | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1875458A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | G·T·布拉洛克;L·D·布赖纳;E·－X·平;S·陈 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包含一种用于形成粗糙的含硅表面的方法。包含非晶硅的层在第一温度时被供给反应室内。温度被增加到第二温度，第二温度比第一温度高出至少约40℃，同时使至少一种氢同位素流入室内。在温度达到第二温度后，在所述层上播种籽晶。接着，已播种的层被退火以形成粗糙的含硅表面。可将粗糙的含硅表面加入电容器结构中。可将电容器结构加入DRAM单元中，并且可将DRAM单元用于电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 粗糙 表面 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成粗糙的含硅表面的方法，包含：将包含非晶硅的层供给反应室，所述层处在第一温度下；当所述层位于所述室内时，使所述层的温度增高至第二温度，所述第二温度比所述第一温度至少高出约40℃，同时将至少一种氢同位素流入所述室；在所述层的温度达到所述第二温度后，在所述层上播种籽晶；以及对所述已播种的层进行退火以形成粗糙的含硅表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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