[发明专利]激光熔丝的结构及编程有效
申请号: | 200480032173.6 | 申请日: | 2004-11-04 |
公开(公告)号: | CN1875485A | 公开(公告)日: | 2006-12-06 |
发明(设计)人: | 丹什·A·巴达米;汤姆·C·李;李保振;杰拉尔德·马图西维茨;威廉·T·莫特西夫;克里斯托弗·D·马齐;金博尔·M·沃森;琼·E·温 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L29/00;H01L23/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于制造激光熔丝的方法和结构及编程该激光熔丝的方法。该激光熔丝包括第一电介质层,其具有填充以第一自钝化导电材料的两个通孔。熔丝链位于所述第一电介质层上。所述熔丝链电连接所述两个通孔且包括具有暴露于激光束之后改变其电阻这一特性的第二材料。两个台位于所述熔丝链之上且在所述两个通孔正上方。所述两个台每个包括第三自钝化导电材料。该激光熔丝通过将激光束导向所述熔丝链而被编程。控制该激光束使得所述熔丝链的电阻响应于所述激光束对所述熔丝链的影响而改变,但所述熔丝链不被熔断。这样的电阻改变被检测到且被转换成数字信号。 | ||
搜索关键词: | 激光 结构 编程 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成电子结构的方法,包括步骤:在第一电介质层中形成至少两个通孔;以第一自钝化导电材料填充所述两个通孔;在所述第一电介质层上形成熔丝链层,所述熔丝链层包括具有暴露于激光束之后改变其电阻这一特性的第二材料;在所述熔丝链层之上形成台层,所述台层包括第三自钝化导电材料;及由所述熔丝链层和所述台层分别形成熔丝链和两个台,其中所述熔丝链电连接所述两个通孔,且所述两个台位于所述两个通孔正上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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