[发明专利]含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物无效
| 申请号： | 200480032175.5 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1875325A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 戴维·C·斯基 | 申请（专利权）人： | 马林克罗特贝克公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C11D11/00;C11D7/08;C11D7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于微电子产业剥离或清洁半导体晶片基板的碱性组合物，其除去光致抗蚀剂残余物和其它不必要杂质。该组合物包含：(a)一种或多种碱和(b)一种或多种具有以下通式的防止金属腐蚀的金属卤化物：WzMXy，其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru和Sb的金属；X是选自F、CI、Br和I的卤素；W选自H、碱金属或碱土金属，和不含金属离子的氢氧化物碱部分；y是数4－6，取决于金属卤化物；z是数1、2或3。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属 卤化物 腐蚀 抑制剂 碱性 等离子体 蚀刻 灰化 残余物 去除 光致抗蚀剂 剥离 组合 | ||
【主权项】：
1.用于剥离或清洁集成电路基板的碱性组合物，其包括：(a)一种或多种碱；和(b)一种或多种具有以下通式的金属卤化物： WzMXy’ 其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru和Sb的金属；X是选自F、CI、Br和I的卤素；W选自H、碱金属或碱土金属，和不含金属离子的氢氧化物碱部分；y是数4-6，取决于金属卤化物；以及z是数1、2或3。
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