[发明专利]去耦叠层体声谐振器器件中的通带宽度控制

摘要

一种去耦叠层体声波谐振器DSBAR器件(100)，包含下薄膜体声波谐振器FBAR(110)、堆叠在下FBAR上的上FBAR(120)，以及位于所述FBAR之间的声波去耦器(130)。每个FBAR包含相对的平面电极(112、114)以及位于所述电极之间的压电元件(116)。该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层(182、183)。声波去耦层的声阻抗和厚度决定该声波去耦器的声阻抗，并因此决定DSBAR器件的通带宽度。于是可以使用工艺兼容的声波去耦材料，从而使声波去耦器具有特定的声阻抗和通带宽度，而由于缺乏具有这种声阻抗的工艺兼容的声波去耦材料，以其它方式不能获得该声阻抗和该通带宽度。

主权项

1.一种去耦叠层体声波谐振器(DSBAR)器件，包含：下薄膜体声波谐振器(FBAR)和堆叠在下FBAR上的上FBAR，每个FBAR包含相对的平面电极以及所述电极之间的压电元件；以及所述FBAR之间的声波去耦器，该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层。