[发明专利]在含铜金属化上形成电介质的工艺和电容器装置有效
| 申请号： | 200480032539.X | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1875483A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | A·格施万德特纳;J·霍尔茨;M·施伦克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/318;C23C14/06;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明说明尤其允许直接将电介质层施加到含铜金属化上的措施。因此，两种工艺气体(26，28)以每单位衬底表面不同的等离子体功率来激发，或者一种工艺气体(26)利用等离子体来激发，而另一工艺气体(28)不被激发。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 形成 电介质 工艺 电容器 装置 | ||
【主权项】：
1.用于在金属化(102)上形成电介质(110)的工艺，该工艺包括以下步骤：在衬底上产生金属化(102)，所述金属化(102)包含作为金属化成分的铜，供应至少两种工艺气体(26，28)，邻近于所述金属化(102)形成所述电介质(110)，所述电介质(110)包含至少两种来自不同工艺气体(26，28)的成分，所述两种工艺气体(26，28)以每单位衬底面积不同的等离子体功率来激发，或者一种工艺气体(26)利用等离子体来激发，而另一种工艺气体(28)不被激发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
