[发明专利]用于抑制铁电电容器器件中的接触插头中的氧化的装置和方法有效
| 申请号： | 200480032560.X | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1875459A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 连静宇 | 申请（专利权）人： | 因芬奈昂技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 铁电电容器器件及其制造方法，包括形成基板和形成穿过基板的接触插头。电绝缘层形成在基板上，且第一电极形成在电绝缘层上。铁电层形成在第一电极上，且第二电极形成在铁电层上。接着，第一电极通过电绝缘层电连接至插头。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 电容器 器件 中的 接触 插头 氧化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造器件的方法，包括以下步骤：形成基板；形成穿过所述基板的接触插头；在所述基板上形成电绝缘层；在所述电绝缘层上形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及接着通过电绝缘层使所述第一电极电连接至所述插头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
