[发明专利]在静电吸盘上吸附半导体晶圆无效
| 申请号： | 200480032631.6 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1875471A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | P·凯勒曼;S·秦;W·迪韦尔吉利奥 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H02N13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明旨在于提供一种利用单相方波交流吸附电压将晶圆吸附到静电吸盘上的方法。该方法包含确定用于静电吸盘的单相方波吸附电压，其中的确定操作至少部分地基于晶圆的惯性响应时间。晶圆被放到静电吸盘上，其中静电吸盘和晶圆之间的间隙被限定。接着被施加已确定的单相方波吸附电压，其中晶圆通常在预定的距离内被吸附到静电吸盘上，且通常不让静电电荷量被积累，从而使晶圆的快速释放成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 吸附 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种将半导体晶圆吸附到静电吸盘上的方法，包含：确定用于静电吸盘的单相方波吸附电压，其中所述确定至少部分地基于所述晶圆的惯性响应时间；将所述晶圆放到所述静电吸盘上，其中所述晶圆和所述静电吸盘之间的间隙被限定；将已确定单相方波吸附电压施加于所述静电吸盘，以将所述晶圆静电吸附到所述静电吸盘上；以及切断所述已确定单相方波吸附电压，从所述静电吸盘释放所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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