[发明专利]施加单相方波交流吸附电压时通过使用力延迟在具有微加工表面的J－R静电吸盘上吸附和释放半导体晶圆

摘要

本发明旨在提供使用单相方波交流吸附电压将晶圆吸附到J－R静电吸盘的方法和系统。该方法包括为J－R静电吸盘确定单相方波吸附电压，其中，所述确定至少部分地基于与晶圆和静电吸盘以及泄漏电介质层的表面形态相关的最小剩余吸附力。将晶圆放置在静电吸盘上；并向静电吸盘施加所确定的吸附电压，这样，便以静电的方式将晶圆吸附到静电吸盘，在单相方波吸附电压的极性转换过程中，至少保持所述的最小剩余吸附力。确定表面形态的操作包含确定晶圆和静电吸盘之间的第一间隙和第二间隙以及岛面积比，其中，分别与所述第一间隙和第二间隙相关的RC时间常数之间存在差异，使得在所述极性转换过程中保持了至少最小的剩余吸附力。当去掉方波吸附电压时，释放时间大幅减少，该释放时间对应于方波吸附电压的脉宽。

主权项

1.一种将具有背面绝缘层的半导体晶圆吸附到具有泄漏电介质层的J-R静电吸盘的方法，所述方法包括：为所述静电吸盘确定单相方波吸附电压，其中，所述确定操作至少部分地基于与所述晶圆和所述静电吸盘以及所述泄漏电介质层的表面形态相关的最小剩余吸附力；将所述晶圆放置在所述静电吸盘上；以及将所确定的单相方波吸附电压施加到所述静电吸盘，从而以静电方式将所述晶圆吸附到所述静电吸盘，其中，在单相方波吸附电压的极性发生转换期间，至少维持所述最小剩余吸附力，使得所述晶圆保持被吸附在所述静电吸盘上。