[发明专利]晶体管装置、集成电路及运行场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 200480032739.5 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1879296A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | R·布勒德罗;高正旭;R·特韦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H03F3/72 | 分类号： | H03F3/72;H03F1/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 晶体管装置包括第一和第二场效应晶体管，所述场效应晶体管有第一和第二源/漏极端子以及施加第一或第二信号的控制端子，这两个场效应晶体管导电类型相同；该晶体管装置以如下方式建立：能够交替地将第一信号加到第一场效应晶体管的控制端子并同时将第二信号加到第二场效应晶体管的控制端子；和/或将第二信号加到第一场效应晶体管的控制端子并同时将第一信号加到第二场效应晶体管的控制端子。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 集成电路 运行 场效应 方法 | ||
【主权项】：
1.晶体管装置，●包括第一和第二场效应晶体管，每个场效应晶体管有第一和第二源/漏极端子以及施加第一或第二信号的控制端子，这两个场效应晶体管导电类型相同；●该晶体管装置以如下方式建立：能够交替地○将第一信号加到第一场效应晶体管的控制端子并同时将第二信号加到第二场效应晶体管的控制端子；○将第二信号加到第一场效应晶体管的控制端子并同时将第一信号加到第二场效应晶体管的控制端子。
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