[发明专利]自由基产生方法、蚀刻方法以及用于这些方法的设备无效
| 申请号： | 200480033076.9 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1879200A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 后藤俊夫;堀胜;永井干雄 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 产生自由基的方法包括以下步骤：将F2气体或F2气体与惰性气体的混合气体供给到内部具有碳材料的室中，通过对所述碳材料施加靶偏压，由所述碳材料提供碳原子，从而产生高密度的自由基，其中，当测量在所述室内部产生的自由基的红外吸收光谱时，通过控制对所述碳材料施加的所述靶偏压，任意调节CF3自由基、CF2自由基和CF自由基的比率。 | ||
| 搜索关键词： | 自由基 产生 方法 蚀刻 以及 用于 这些 设备 | ||
【主权项】：
1.一种产生自由基的方法，包括以下步骤：将F2气体或F2气体与惰性气体的混合气体供给到内部具有碳材料的室中，通过对所述碳材料施加靶偏压，由所述碳材料提供碳原子，以及从而产生高密度的自由基，其中，对所述碳材料施加不大于600V的所述偏压，以选择性地形成CF3自由基，从而产生高纯度的CF3自由基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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