[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200480033200.1 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1879223A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 竹内孝之;七井识成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管(100)具有半导体层(14)和在上述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域(15)和漏极区域(16)，上述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分，将上述π共轭类有机半导体分子取向，使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在上述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，具有半导体层和在所述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域和漏极区域，其特征在于：所述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分，将所述π共轭类有机半导体分子取向，使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在所述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。
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