[发明专利]线轮廓不对称测量无效
| 申请号： | 200480033229.X | 申请日： | 2004-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1879004A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯·雷蒙德 | 申请（专利权）人： | 安格盛光电科技公司 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种测量特征，如衍射光栅线的不对称的方法。在实施过程中提供一种通过将光直射在微电子器件的微电子特征阵列上测量微电子器件中不对称的方法。所述光照射包含许多微电子特征的整个长度和宽度的阵列的一部分。检测从阵列后向散射的光。通过检查反射互补角度的数据可检查后向散射光的至少一个特性。所述方法特别适用于较小周期结构的阵列，标准模型化技术将会不切实际的复杂或花费过度的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 轮廓 不对称 测量 | ||
【主权项】：
1.一种测量微电子器件中三维结构不对称的方法，所述方法包括下列步骤：将光直射到微电子器件的微电子特征阵列上，所述光照射包含许多微电子特征的整个长度和宽度的阵列的一部分；在从由一个或更多个反射角、一个或更多个波长，或它们的组合构成的组中选择的条件下检测从所述阵列后向散射的光；和通过执行包括检查来自反射互补角的数据的操作检查后向散射光的一个或更多个特性。
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