[发明专利]包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器

摘要

根据本发明，改进的图像传感器包括与硅衬底和硅读出电路集成的锗感光元件阵列。首先利用众所周知的硅晶片制作技术，在硅衬底上形成硅晶体管。随后通过外延生长形成覆盖在硅上的锗元件。锗元件有利地形成在电介质覆层表面孔口内部。将晶片制作技术应用到这些元件中，从而形成隔离的锗光电二极管。由于锗加工所需的温度低于硅加工的温度，锗装置的形成没有必要影响以前形成的硅装置。然后沉积绝缘层和金属层并且对它们进行图案化处理，从而互连硅装置，并且将锗装置连接到硅电路上。锗元件因而借助外延生长集成到硅上，并且借助公共金属层与硅电路集成。

主权项

1.一种图像传感器，包括：多个设置在包括硅的衬底上的光电探测器；所述光电探测器包括含有锗的隔离岛，该隔离岛通过外延生长与硅集成在一起；以及所述衬底包括与所述光电探测器连接的集成硅电路，用来逐个寻址和读取所述光电探测器的光响应。