[发明专利]形成晶格调制半导体基片无效

申请号：	200480033330.5	申请日：	2004-10-28
公开（公告）号：	CN1879197A	公开（公告）日：	2006-12-13
发明（设计）人：	亚当·丹尼尔·卡普威尔;埃文·休伯特·克里斯威尔·帕克;蒂莫西·约翰·戈瑞斯波	申请（专利权）人：	阿德弗西斯有限公司
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;C30B25/04
代理公司：	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人：	王琦;王诚华
地址：	英国***	国省代码：	英国;GB
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摘要：	一种形成晶格调制半导体基片的方法，包括利用延伸过在Si表面(15)上的隔离层(11)的窗(13)，限定Si表面(15)的被选区域(12)；在隔离层(11)上限定通过隔离层(11)的部分与Si表面(15)隔离开的凹陷(14)；在Si表面(15)的被选区域(12)上生长SiGe层(16)，以便在窗(13)中形成位错(17)从而缓解SiGe层(16)中的应变；以及进一步生长SiGe层(16)以覆盖隔离层(11)并延伸入凹陷(14)中，从而在凹陷(14)内形成所述SiGe的基本无位错区域(18)。如果需要的话，通过抛平至降到隔离层(11)的水平面，去除已经覆盖隔离层(11)的SiGe层(16)的部分，从而将凹陷(14)中的SiGe的基本无位错区域(18)与窗(13)中的SiGe区域隔离开。更进一步，从Si表面(15)去除了凹陷(14)附近之外的活化层(16)和隔离层(11)，从而在Si表面(15)上留下通过隔离层(11)的部分与半导体表面(15)隔离开的SiGe的基本无位错区域(18)。
搜索关键词：	形成晶格调制半导体
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【主权项】：

1、一种形成晶格调制半导体基片的方法，包括：a、利用延伸过在半导体表面(15)上的隔离层(11)的窗(13)，限定半导体表面(15)的被选区域(12)；b、在隔离层(11)上于窗(13)附近限定凹陷(14)；c、在半导体表面(15)的被选区域(12)之上生长与半导体表面(15)的材料存在晶格失配的半导体材料的活化层(16)，以便在窗(13)中形成位错(17)从而缓解活化层(16)中的应变；以及d、进一步生长活化层(16)以覆盖隔离层(11)并延伸入凹陷(14)中，从而在凹陷(14)内形成所述半导体材料的基本无位错区域(18)。

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H 电学

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