[发明专利]设有谐振器的半导体装置无效
| 申请号： | 200480033345.1 | 申请日： | 2004-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1879299A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | P·加曼德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体装置内制作谐振器的方法，所述半导体装置包含衬底，其中，所述方法包括以下步骤：在所述衬底上蚀刻孔；建立界定第一电极的第一掺杂区(Z－DIFF1)；将所述第一电极分割成两个电极；在所述孔的内部和周围施加经划定的氧化物淀积层；界定完全覆盖所述孔的第二掺杂区(Z－DIFF2)；除去所述氧化物淀积层，以界定用以形成能在所述两个电极之间振动的谐振器的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 谐振器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体装置内制作谐振器的方法，所述半导体装置包含具有相互垂直的第一轴(XX’)和第二轴(YY’)的衬底(Z_HO)，其中，所述方法包括以下步骤：-在衬底(Z_HO)上蚀刻孔(TR)，-在所述孔(TR)的内部和周围建立用于界定第一电极的第一掺杂区(Z_DIFF1)，-将所述第一电极分割成两个电极(ELEC1，ELEC2)，-根据特定淀积图案(M_ONO)，将经划定的氧化物淀积层(Z_OXI)施加在孔(TR)的内部和周围，-界定将所述孔(TR)完全覆盖的第二掺杂区(Z_DIF2)，-为界定用于形成能在两个电极(ELEC1，ELEC2)之间振动的谐振器元件，清除所述氧化物淀积层(Z_OXI)。
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