[发明专利]具有动态背栅极偏置的自举二极管仿真器

摘要

一种在采用以推拉输出电路结构彼此相连的晶体管的半桥路开关电路中使用的自举二极管仿真器电路，一种用于驱动所述晶体管的驱动电路，以及用于给高边驱动电路提供电源的自举电容器。所述自举二极管仿真器电路包括：具有栅极、背栅极、源极以及漏极的LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管的漏极耦合到高边电源节点，所述LDMOS晶体管的源极耦合到低边电源节点；电耦合到所述LDMOS晶体管栅极的栅极控制电路；以及电耦合到所述LDMOS晶体管的背栅极的动态背栅极偏置电路。所述动态背栅极偏置电路用于通过给所述LDMOS晶体管的背栅极施加接近于但略低于所述LDMOS晶体管漏极电压的电压，而在所述LDMOS导通时，动态地给所述LDMOS晶体管的背栅极施加偏压。

主权项

1.一种与半桥路开关电路一起使用的自举二极管仿真器，所述开关电路包括：在负载节点处以推拉输出电路结构彼此相连的低边晶体管和高边晶体管，所述低边晶体管和高边晶体管具有各自的栅极节点；电耦合于所述低边晶体管和高边晶体管的所述栅极节点的驱动电路，所述驱动电路由至少一个控制输入来控制；用于在低边电源节点上提供低边电压的低边电压源；以及电耦合在高边电源节点和所述负载节点之间的自举电容器，所述自举二极管仿真器电路包括：LDMOS晶体管，其具有栅极、背栅极、源极以及漏极，所述LDMOS晶体管的漏极耦合到所述高边电源节点，所述LDMOS晶体管的源极耦合到所述低边电源节点；栅极控制电路，其电耦合到所述LDMOS晶体管的栅极；以及动态背栅极偏置电路，其电耦合到所述LDMOS晶体管的背栅极；其中，所述栅极控制电路用于根据所述至少一个控制输入而使所述LDMOS晶体管导通，所述背栅极偏置电路用于给所述LDMOS晶体管的背栅极施加接近于但略低于所述LDMOS晶体管的漏极电压的电压，从而在所述LDMOS导通时，动态地给所述LDMOS晶体管的背栅极施加偏压。