[发明专利]用于FET栅电极的CVD钽化合物

摘要

本发明公开了在场效应器件中用作栅极材料的Ta和N的化合物，它可能包括其它的元素，并且具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且N与Ta元素比率约大于0.9。这种化合物的代表性实施例TaSiN在包含电介质层和高－k电介质层的SiO₂上在典型的CMOS处理温度下是稳定的，其功函数接近于n－型Si的功函数。通过使用烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质比如叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta(TAIMATA)作为Ta前体的化学汽相淀积方法淀积金属性的Ta－N化合物。淀积是保形的，允许将Ta－N金属性的化合物灵活地引入到CMOS处理工艺中。以TaN或TaSiN处理的器件显示了接近理想的特性。

主权项

1.一种用于形成包括Ta和N的化合物的化学汽相淀积(CVD)方法，包括如下的步骤：使用烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质用作Ta前体；以及提供供应氮的前体。