[发明专利]高K介电膜有效
| 申请号： | 200480033499.0 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1930687A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 拉温德拉纳特·德鲁帕德 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种介电层(14，22，24，32)，由两个导体或导体(14，20，34)和衬底(12，26，30)之间形成的镧、镥和氧构成。在一个实施例中，介电层形成在衬底上，不需要额外的界面层。在另一个实施例中，介电层(22，42，46)渐次变化镧或镥的含量，或者还包括铝的含量。在另一个实施例中，绝缘层形成在导体或衬底和介电层之间，或者形成在导体和衬底以及介电层之间。介电层优选的由分子束外延来形成，但是也可以由原子层化学气相淀积、物理气相淀积、有机金属化学气相淀积或脉冲激光淀积来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 介电膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；半导体衬底上面的介电层，其包括镧、镥以及氧；以及介电层上面的电极层。
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