[发明专利]具有改善的安全工作区域性能的IGBT阴极设计

摘要

在一种绝缘栅双极晶体管中，根据本发明通过二折基区实现了改善的安全工作区域性能，二折基区包括第一基区(81)和第二基区(82)，所述第一基区(81)设置在沟道区(7)中，使得其围绕一个或多个源区(6)，但是不邻接栅氧化物层(41)之下的第二主表面，所述第二基区(82)设置在基接触区域(821)之下的半导体衬底(2)中，使得其部分地与沟道区(7)以及第一基区(81)重叠。

主权项

1.一种绝缘栅双极晶体管，包括：-具有顶和底表面的半导体衬底(2)、形成在所述顶表面上的栅绝缘膜(41)，所述栅绝缘膜(41)包括至少一个接触开口，-所述半导体衬底(2)包括·邻接所述底表面的第一导电性类型的发射极层(21)，·邻接所述发射极层(21)的第二导电性类型的漂移区(22)，·形成在所述接触开口之下和所述栅绝缘膜(41)的一部分之下的所述漂移区(22)中的第一导电性类型的沟道区(7)，·设置在所述沟道区(7)中并界定基接触区域(821)的第二导电性类型的一个或多个源区(6)；-形成在所述栅绝缘膜(41)上的栅电极(5)，-形成在所述底表面上的底金属化层(1)，-覆盖所述接触开口的顶金属化层(9)，其特征在于，-第一导电性类型的第一基区(81)设置在所述沟道区(7)中，使得其围绕所述一个或多个源区(6)，但是不邻接所述栅氧化物层(41)之下的第二主表面，以及-第一导电性类型的第二基区(82)设置在所述基接触区域(821)之下的所述半导体衬底(2)中，使得其部分地与所述沟道区(7)以及所述第一基区(81)重叠。