[发明专利]AM中频可变增益放大电路、可变增益放大电路及其半导体集成电路无效
| 申请号： | 200480033735.9 | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1883112A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胜永浩史;宫城弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机;新泻精密株式会社 |
| 主分类号： | H03G3/10 | 分类号： | H03G3/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供可在低电源电压下使用，且电路内部发生的噪声较少的可变增益放大电路。在构成差动放大电路的2个MOS晶体管的源极间连接第三MOS晶体管，第三MOS晶体管的栅极上，被供给使第三MOS晶体管在非饱和区域工作的直流偏压。若AM可变增益放大电路的输出电压增加，则提供使第三MOS晶体管的源极/漏极间电阻变小的控制电压，AM中频可变增益放大电路的增益变小。 | ||
| 搜索关键词： | am 中频 可变 增益 放大 电路 及其 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种AM中频可变增益放大电路，其中设有：将输入信号与该输入信号反相后的反相输入信号差动放大的第一和第二场效应晶体管；在所述第一场效应晶体管的源极与所述第二场效应晶体管的源极之间连接，并向栅极供给用以控制所述第一和第二场效应晶体管差动放大增益的控制电压的第三场效应晶体管；以及提供使所述第三场效应晶体管在非饱和区域工作的直流偏压的偏压电路。
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