[发明专利]于接触形成中防止接触孔宽度增加的方法无效
| 申请号： | 200480033777.2 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1883045A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | D·M·霍珀;H·木下;C·吴 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 依照一个范例实施例，一种在半导体芯片中的硅化物层(214)之上形成接触的方法，包括步骤：在接触孔(208)侧壁(206、207)上和在位于接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)上沉积阻挡层(202)，其中该侧壁(206、207)由介电层(204)中的接触孔(208)所界定。该沉积(150)阻挡层(202)于接触孔(208)的侧壁(206、207)和于自生氧化物层(210)上的步骤(150)能够最优化，而使得阻挡层(202)在接触孔(208)的顶部具有较在该接触孔(208)的底部厚的厚度。依照此范例实施例，本方法复包括移除(152)阻挡层(202)的一部分(219)和位于在接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)，以暴露硅化物层(214)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 防止 宽度 增加 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在位于半导体芯片中的硅化物层(214)上形成接触的方法，该方法包括以下步骤：在接触孔(208)的侧壁(206、207)上以及在位于该接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)上沉积(150)阻挡层(202)，该侧壁(206、207)由介电层(204)中的该接触孔(208)所界定；移除(152)该阻挡层(202)的一部分(219)和位于该接触孔(208)底部的该自生氧化物层(210)，以暴露该硅化物层(214)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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