[发明专利]电荷捕获存储器件以及用于操作和制造该单元的方法

摘要

电荷捕获层包括在源和漏结上方的两个条带。电荷捕获层和栅极电介质的厚度选择成在擦除过程期间便于产生电子Fowler－Nordheim隧穿到向些条带中。编程是通过将热空穴注入到独立地用于两位存储的这些条带中而进行的。

主权项

1、电荷捕获存储器件，包括：半导体本体或衬底，其具有设置在所述半导体本体或衬底中的至少一个存储单元；源区和漏区，通过所述半导体本体或衬底中的掺杂区形成并通过结限制；栅极电介质，在所述源区和漏区之间的所述半导体本体或衬底的表面上并具有层厚；在所述栅极电介质上的栅电极；和形成在所述栅极电介质内的电荷捕获层，该电荷捕获层包括两个条带，其各位于所述结的上边界和所述栅电极之间并且被所述栅极电介质包围，所述条带是由具有比栅极电介质更高的相对电容率的材料形成的，和所述条带的层厚是相对于所述条带之间的区域中所述栅极电介质的所述层厚以及所述条带的区域中所述栅极电介质的总层厚而提供的，以使得施加于所述栅电极并用于诱发电子Fowler-Nordheim隧穿到所述电荷捕获层中而提供的正电压在所述条带的所述区域中产生电场强度，其大于或等于在所述存储单元的擦除过程中在所述条带之间的所述区域中的电场强度。