[发明专利]用于电解沉积铜沉积物的含有卤化或拟卤化的单体吩嗪鎓化合物的酸浴有效

专利信息
申请号: 200480034096.8 申请日: 2004-11-09
公开(公告)号: CN1882550A 公开(公告)日: 2006-12-20
发明(设计)人: 海科·布伦纳;沃尔夫冈·达姆斯;乌多·格里泽(已故) 申请(专利权)人: 埃托特克德国有限公司
主分类号: C07D241/46 分类号: C07D241/46;C25D3/38
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 于辉
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 为了利用相对较高的电流密度来制造特别均匀、如镜面一样光亮的平整且可延展的铜涂层,使用纯度至少为85摩尔%并具有如下通式I的卤化或拟卤化的单体吩嗪鎓化合物,在通式I中,R1、R2、R4、R5、R6、R7’、R7”、R8、R9、X和A具有在权利要求书中所表示的含义。所述化合物的制备是在无机酸、重氮化剂和卤化物或拟卤化物存在下,使合适的原料化合物重氮化,然后使其卤化或拟卤化,其中所述反应步骤是在一单一容器中进行的。
搜索关键词: 用于 电解 沉积 沉积物 含有 卤化 单体 吩嗪 化合物
【主权项】:
1、一种纯度至少为85摩尔%的卤化或拟卤化的单体吩嗪鎓化合物,其具有以下通式:其中R1、R2、R4、R6、R7’、R7”、R8和R9彼此独立地选自氢、卤素、氨基、氨烷基、羟基、氰基、硫氰酸根、异硫氰酸根、氰酸根、异氰酸根、巯基、羧基及其酯基、碳酸酯基、磺基及其盐、磺基酯基、低碳数烷基、未取代的芳基、取代的芳基、杂芳基和脂环杂基,R5选自低碳数烷基、未取代的芳基、取代的芳基和杂芳基,X为卤素或拟卤素,和A-为酸阴离子。
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