[发明专利]用于利用自旋转移的磁性元件的电流约束传递层和使用该磁性元件的MRAM器件无效
| 申请号： | 200480034323.7 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1883007A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 怀一鸣;P·P·源;F·艾伯特 | 申请（专利权）人： | 弘世科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提供磁性元件的方法和系统。一方面，磁性元件包括至少一个被钉扎层(110)、自由层(130)、和位于被钉扎层(110)和自由层(130)之间的电流约束层(120)。被钉扎层(110)是铁磁性的并且具有第一磁化。电流约束层(120)在绝缘基材中具有至少一个通道。通道是导电性的，并且延伸通过电流约束层(120)。自由层(130)是铁磁性的并且具有第二磁化。被钉扎层(110)、自由层(130)、和电流约束层(120)被配置成允许自由层的磁化使用自旋转移进行切换。磁性元件(100)也包括其它层，包括用于自旋阀、自旋隧道结、双自旋阀、双自旋隧道结、双自旋阀/隧道结构的层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 自旋 转移 磁性 元件 电流 约束 传递 使用 mram 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁性元件，包括：被钉扎层，该被钉扎层是铁磁性的并且具有第一磁化；电流约束层，具有在绝缘基材中的至少一个通道，该至少一个通道为导电性的并且延伸通过电流约束层；以及自由层，该自由层是铁磁性的并且具有第二磁化，该电流约束层位于被钉扎层和自由层之间；其中被钉扎层、自由层和电流约束层被配置成允许自由层的第二磁化使用自旋转移进行切换。
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