[发明专利]红外辐射元件和使用其的气敏传感器无效

专利信息
申请号: 200480034906.X 申请日: 2004-10-27
公开(公告)号: CN1886820A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 栎原勉;滨田长生;明渡甲志;北村启明;福岛博司;菰田卓哉;幡井崇 申请(专利权)人: 松下电工株式会社
主分类号: H01K1/04 分类号: H01K1/04;H05B3/10;G01N21/01
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在红外辐射元件(A)中,绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上,其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率,加热层(3)形成于绝热层(2)上,其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率,用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成,且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源,有可能延长红外辐射源的寿命。
搜索关键词: 红外 辐射 元件 使用 传感器
【主权项】:
1.一种红外辐射元件,包括:半导体衬底;形成于所述半导体衬底的表面上的多孔绝热层,所述绝热层具有比所述半导体衬底小的热导率;形成于所述绝热层上并通过通电而发射红外线的发热层,所述发热层具有比所述绝热层大的热导率和电导率。
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