[发明专利]具备静电破坏保护元件的半导体装置无效
| 申请号： | 200480034979.9 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1886834A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 小岛严;正垣年启;石川修 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(1)，具备：形成有集成电路(3、4)的半导体基板(2)；电连接集成电路(3、4)与外部接地电极的第1连接端子(7)以及第2连接端子(8)；电连接第1接地端子(7)和第2连接端子8的静电破坏保护元件(5)。第1接地端子(7)，与半导体基板(2)电连接，第2接地端子(8)不与半导体基板(2)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 静电 破坏 保护 元件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种具备静电破坏保护元件的半导体装置，具备：形成有集成电路的半导体基板；第1接地端子以及第2接地端子，其将所述集成电路与外部接地端子电连接；和静电破坏保护元件，其将所述第1接地端子与第2接地端子电连接，所述第1接地端子，与所述半导体基板电连接，所述第2接地端子不与所述半导体基板电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
