[发明专利]拣选碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200480035087.0 | 申请日： | 2004-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1886332A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 瓦莱利·迪宾 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L51/30;C01B31/02;C23F13/02 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了拣选纳米管和在选择性的纳米管类型的基础上形成器件的方法。本公开提供了拣选在场效应晶体管、二极管和电阻器的形成中有用的半导体性纳米管的方法。本公开也提供了拣选在互连器件的形成中有用的金属性纳米管的方法。所述的方法包括纳米管的选择性耗尽和施加高电流通过其余的纳米管的应用，以及纳米管的阴极保护和酸的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 拣选 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底；提供多个与所述的衬底接触的半导体性和金属性纳米管；选择性地保护所述的半导体性纳米管和金属性纳米管中的一种并留下所述的半导体性纳米管或者金属性纳米管中的其他种作为不被保护的纳米管；以及分解所述的不被保护纳米管，只留下被保护的纳米管。
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