[发明专利]沟槽绝缘栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 200480035197.7 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1886835A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | R·J·E·许廷;E·A·海曾 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及沟槽MOSFET，它具有漏极区(8)、漂移区(10)、主体区(12)和源极区(14)。将漂移区掺杂成具有高浓度梯度。提供场板电极(34)，其与漂移区(10)和紧接于主体区(12)的栅电极(32)相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅场效应晶体管，包括：半导体主体(2)，具有相对的第一(4)和第二主表面(6)；第一主表面上的第一导电类型的源极区(14)；所述源极区下与第一导电类型相反的第二导电类型的主体区(12)；所述主体区下的第一导电类型的漂移区(10)；所述漂移区下的第一导电类型的漏极区(8)，以使所述源极区、主体区、漂移区和漏极区依此顺序从第一主表面向第二主表面延伸；以及绝缘沟槽(20)，从第一主表面(4)向第二主表面延伸过所述源极区(14)和所述主体区(12)进入所述漂移区(10)，每个沟槽(20)具有侧壁(22)，并包括所述侧壁上的绝缘体(28)、与所述主体区(12)相邻并由栅极绝缘体(42)与所述主体区(12)分隔开的至少一个导电栅电极(32)以及与所述漂移区相邻并由场板绝缘体(44)与所述漂移区分隔开的至少一个导电场板电极，并且栅极-场板绝缘体(30)将所述场板和所述栅极分隔开，其中所述源极区(14)和沟槽(20)定义第一主表面上的单元图案；以及所述漂移区(10)中的掺杂浓度从所述漂移区(10)与所述主体区(12)相邻的部分到所述漂移区(10)与所述漏极区(12)相邻的部分升高，所述漂移区(10)中邻近所述漏极区(8)的掺杂浓度比邻近所述主体区(12)的掺杂浓度至少大50倍。
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