[发明专利]电镀方法和接触凸起装置有效
| 申请号： | 200480035207.7 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1886828A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | J·赫尔内德;H·托尔维斯滕 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明尤其涉及用于电镀的方法，包括例如借助抗蚀剂(26)构造铜层(24)。置于所述铜层(24)下面的阻挡层(22)用于向没有铜层的区域提供电镀电流。本发明方法使形成高质量的焊接凸点成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 接触 凸起 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于电镀的方法，具有以下步骤：将导电基本层(22)施加到衬底(12)，在施加基本层(22)之后施加与该基本层(22)相比具有更好的电导率的辅助层(24)，在施加辅助层(24)之后施加掩模层(26)，由掩模层(26)形成具有至少一个掩模开口(28)的掩模，使用该掩模构图辅助层(24)，根据该掩模基本层(22)没有被构图或没有被完全构图，在构图辅助层(24)之后在掩模开口(28)中电镀至少一层(50、52)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份公司，未经英飞凌科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480035207.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生产硫化钡的新方法
- 下一篇：一种治疗腹泻的中药制剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
