[发明专利]具有快速访问时序的低功率编译器可编程的存储器有效
| 申请号： | 200480035312.0 | 申请日： | 2004-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1886796A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·W·尼古拉斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种低功率、可编译的存储器(100)利用充电脉冲技术来改善访问时间，以优于其他低功率存储器实现。该存储器包括配置为在非活动存储器访问周期期间对多个位线放电以减少功耗的电路(106、108)。存储器也包括其他电路(112)，其在活动的存储器访问周期期间在多个位线中所选择的位线上施加充电脉冲以改善存储器访问时间。自动存储器编译器在存储器设计期间调整定时电路(130)以控制充电脉冲的持续时间及传感放大电路(124)的启用。存储器编译器提供了存储器的可编程物理尺寸并在确保可靠检测的同时优化了访问定时。编译器根据为多存储器配置提供高精确度及可预测的访问时间延迟的数学公式计算定时电路的定时。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 快速 访问 时序 功率 编译器 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在非活动存储器访问周期期间对多个位线放电；在该多个位线中所选择的位线上施加充电脉冲；以及检测该多个位线中该所选择的位线与参考线之间的电压差。
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