[发明专利]纳米线的制作有效
| 申请号： | 200480035875.X | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1890406A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | P·科尔尼洛维奇;P·马迪洛维奇;K·F·彼得斯;J·斯塔西亚克 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D1/10;C25D1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;陈景峻 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明内容涉及用于产生纳米线(1202)的系统(500)和方法(600、1600)。通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102、104)并且溶解和迁移(1610)暴露层(102)的边缘(302)的材料至衬底(1802)可制作纳米线(1202)。还可通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102)并且将材料沉积到暴露层(102)的边缘(302)上来制作纳米线(1202)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制作 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包含：超点阵100，其具有多个交替层，包括第一材料的第一交替层102和第二材料的第二交替层104，所述多个交替层的至少一层具有长度、厚度和深度，所述多个交替层在基本平行于所述厚度的方向上被沉积；其中：所述多个交替层具有第一表面202，其基本平行于所述厚度而伸展，所述第一表面202包括所述第一交替层102的第一部分302和所述第二交替层104的第二部分304；以及所述多个交替层具有第二表面402，其与所述第一表面202物理分离，所述第二表面402用于和所述多个交替层电连通。
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