[发明专利]曝光装置、曝光方法和器件制造方法以及光学部件有效
| 申请号： | 200480035901.9 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1890779A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 长坂博之;高岩宏明;蛭川茂;星加隆一;石泽均 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 器件 制造 以及 光学 部件 | ||
【主权项】：
1.一种经液体对基片照射曝光光以对基片曝光的曝光装置，其特征在于：具备：将图案的像投影在基片上的投影光学系统；以及用于保持基片的基片台，在基片台上以可更换的方式设置有其表面的至少一部分呈疏液性的构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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