[发明专利]制造绝缘体上应变半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200480035903.8 | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1890781A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·贝戴尔;盖伊·科恩;陈华杰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种制造绝缘体上应变半导体(SSOI)衬底的方法，其中该应变半导体是直接位于预先形成的绝缘体上硅的绝缘体层顶部的厚度小于50纳米的薄半导体层。在形成本发明的SSOI时没有采用晶片键合。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 绝缘体 应变 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造绝缘体上应变半导体(SSOI)的方法，包括以下步骤：在第一晶体半导体层的表面上形成应变的第二晶体半导体层，所述第一晶体半导体层位于预先形成的绝缘体上硅(SOI)衬底的绝缘层的顶部；在足以使第二晶体半导体层中的应变弛豫的第一温度下，使包含第二晶体半导体层的预先形成的SOI衬底经受第一退火步骤；执行无定形化离子注入，以产生包括整个第一晶体半导体层和第二晶体半导体层的下部的掩埋无定形化区域；在足以使掩埋无定形化区域再结晶的第二温度下，使包含第二晶体半导体层和掩埋无定形化区域的预先形成的SOI衬底经受第二退火步骤，导致所述第一晶体半导体层在应变的状态下再结晶；有选择地除去第二晶体半导体层，从而提供绝缘体上应变半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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