[发明专利]LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 200480036004.X | 申请日： | 2004-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1890815A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | G·马;O·托恩布拉德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体晶体管结构，包括：具有外延层的衬底、从外延层的表面延伸的源区、在外延层内的漏区、位于漏和源区之间的沟道和设置在沟道上方的栅极。该漏区包括：用于建立与电极接触的第一区域；比第一区域掺杂得更少的第二区域，其掩埋在外延层内，且在朝着栅极的方向上从第一区域水平延伸；第三区域，其比第二区域掺杂得更少，且从外延层的表面垂直地和从第二区域水平地延伸直至栅的下面；顶层，其从外延层的表面延伸至第二区域；以及底层，其从所述第二区域延伸到外延层中。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管结构，包括：衬底，具有第一导电类型的外延层；源区，从第二导电类型的外延层的表面延伸；漏区，位于第二导电类型的所述外延层内；沟道，位于所述的漏区和源区之间；栅极，设置在所述沟道上方；其中所述的漏区包括：用于建立与电极接触的所述第二导电类型的第一区域；比所述第一区域掺杂得更少的所述第二导电类型的第二区域，其掩埋在所述外延层内，且在朝着所述栅极方向上从所述第一区域水平地延伸；第三区域，是比所述的第二区域掺杂得更少的所述第二导电类型，且从所述外延层的表面垂直地和从所述的第二区域水平地延伸直至所述栅极下面；所述第一导电类型的顶层，从所述外延层的表面延伸至所述第二区域；以及所述第一导电类型的底层，从所述第二区域延伸到所述的外延层中。
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