[发明专利]激光切割的方法和装置无效
| 申请号： | 200480036050.X | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1890796A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | R·姆利甘;S·沙龙 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/40;B23K26/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置和方法，通过在存在阴离子等离子体的情况下激光烧蚀微电子器件晶片的至少互连层部分来分开微电子器件晶片，其中阴离子等离子体与激光烧蚀所产生的残渣反应以形成反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 切割 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种切割微电子器件晶片的方法，包括：提供包括其上沉积了互连层的衬底晶片的微电子器件晶片，所述微电子器件包括在其中形成的由至少一条切割道分开的至少两个集成电路；在靠近所述互连层的地方生成阴离子等离子体；以及通过穿过所述阴离子等离子体发射激光束，在所述至少一条切割道内激光烧蚀出穿透所述互连层的至少一条沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
