[发明专利]沟槽栅极场效应器件有效
| 申请号： | 200480036076.4 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1890813A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 堀田幸司;河路佐智子;杉山隆英;臼井正则 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 场效应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：电极；第二导电类型的顶区，连接到所述电极；所述第二导电类型的深区；第一导电类型的中间区，连接到所述电极，所述中间区使所述顶区和所述深区隔离；栅极电极，通过绝缘层面对部分所述中间区，所述中间区的所述部分使所述顶区和所述深区隔离；以及势垒区，形成在所述中间区和/或所述顶区内。
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