[发明专利]由纳米级沟道的平面阵列构成的筛分介质及其制造和使用方法有效
申请号: | 200480036102.3 | 申请日: | 2004-11-24 |
公开(公告)号: | CN1890560A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | S·司贝特 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G01N30/00 | 分类号: | G01N30/00;G01N27/447;B81B1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种基于大小和/或结构对分子进行分离的装置和方法以及制造所述装置的方法。所述分离方法通常包括使含有具有不同有效分子直径的微粒的流体流经排列在衬底表面的多条敞开的纳米级的沟道。所述方法也包括获得所述流经流体的多个分段,使得每个分段包含含有具有相似大小和形状并基本上不含有更大尺寸与形状的微粒的主要部分。所述装置包含第一与第二衬底,其中每一衬底具有有其中排列了多条敞开的纳米级沟道的表面。所述表面结合在一起,使得第一衬底的每条沟道与第二衬底的至少两条沟道流体流通并且是相对于第二衬底的沟道偏离的。干涉蚀刻和阳极接合或倒装芯片接合技术可以用于所述装置的制造。 | ||
搜索关键词: | 纳米 沟道 平面 阵列 构成 筛分 介质 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括第一和第二衬底的装置,每一衬底各具有一个在其中排列有多条敞开的纳米级沟道的表面,所述二表面接合在一起,使得第一衬底的每一沟道与第二衬底的至少两条沟道流体连通并且相对于第二衬底的沟道是偏离的。
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