[发明专利]具有流体间隙的衬底保持器和制造衬底保持器的方法有效
| 申请号： | 200480036209.8 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1890783A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·哈梅林 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461;H05K7/20;H05B3/68 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于支撑衬底(30)的衬底保持器(20)。加热部件(50)与支撑表面相邻定位，并定位在支撑表面和冷却部件(60)之间。流体间隙定位在冷却部件和加热部件之间，流体间隙构造为接收流体以增大冷却部件和加热部件之间的热传导率。钎焊材料布置在冷却部件和加热部件之间，钎焊材料与流体间隙相邻布置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 流体 间隙 衬底 保持 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于支撑衬底的衬底保持器，包括：支撑表面；冷却部件；加热部件，其与所述支撑表面相邻定位，并定位在所述支撑表面和所述冷却部件之间；流体间隙，其定位在所述冷却部件和所述加热部件之间，所述流体间隙构造为接收流体，以改变所述冷却部件和所述加热部件之间的热传导率；和钎焊材料，其布置在所述冷却部件和所述加热部件之间，所述钎焊材料与所述流体间隙相邻布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
