[发明专利]高性能热电材料铟-钴-锑的制备方法无效
申请号: | 200480036439.4 | 申请日: | 2004-12-08 |
公开(公告)号: | CN1890820A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 何涛;J·J·克拉耶夫斯基;M·苏布拉马尼安 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L35/18 | 分类号: | H01L35/18;C22C1/04;C01G51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范赤;段晓玲 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种由式InxCo4Sb12(0<x<1=表示、品质因数ZT大于1.0的热电组合物的制备方法以及由该方法制得的组合物。该方法包括:a=混合铟、钴和锑的粉末以形成粉末混合物,使得在所述的粉末混合物中具有0.006-0.030原子百分比的铟、0.242-0.248原子百分比的钴和0.727-0.745原子百分比的锑;b=使气体组合物流过包含所述粉末混合物的炉,所述气体组合物包括1-15原子百分比的氢和85-99原子百分比的氩;c=从室温以接近1-5℃/分钟加热所述炉到590℃-620℃,并将所述炉保持在590℃-620℃之间10-14小时;d)再以近似1-5℃/分钟加热所述炉到665℃-685℃,并将所述炉保持在665℃-685℃之间30-40小时以形成第一固体;e)研磨所述第一固体以形成第二粉末;f)将该第二粉末压成第二固体;g)使气体组合物流过包含所述第二固体的炉,所述气体组合物包括1-15原子百分比的氢和85-99原子百分比的氩;h)从室温以接近1-5℃/分钟加热所述炉到665℃-685℃,并将所述炉保持在665℃-685℃之间1-8小时。 | ||
搜索关键词: | 性能 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种方法,其包括:a)混合铟、钴和锑的粉末以形成粉末混合物,使得在所述的粉末混合物中具有0.006-0.030原子百分比的铟、0.242-0.248原子百分比的钴和0.727-0.745原子百分比的锑;b)使气体组合物流过包含所述粉末混合物的炉,所述气体组合物包括1-15原子百分比的氢和85-99原子百分比的氩;c)从室温以接近1-5℃/分钟加热所述炉到590℃-620℃,并将所述炉保持在590℃-620℃之间10-14小时;d)再以接近1-5℃/分钟加热所述炉到665℃-685℃,并将所述炉保持在665℃-685℃之间30-40小时以形成第一固体;e)研磨所述第一固体以形成第二粉末;f)将所述第二粉末压成第二固体;g)使气体组合物流过包含所述第二固体的炉,所述气体组合物包括1-15原子百分比的氢和85-99原子百分比的氩;h)从室温以接近1-5℃/分钟加热所述炉到665℃-685℃,并将所述炉保持在665℃-685℃之间1-8小时。
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