[发明专利]用含钴合金对铜进行选择性自引发无电镀覆无效

专利信息
申请号: 200480036506.2 申请日: 2004-10-18
公开(公告)号: CN1890401A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 蒂莫西·韦德曼;智则·祝 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C18/31 分类号: C23C18/31;C23C18/50;C23C18/34;C23C18/36
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 肖善强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施方式一般性地提供了镀液组合物、混合镀液的方法和用所述镀液沉积覆盖层的方法。这里所述的镀液可用作无电沉积溶液以在导电构件上沉积覆盖层。所述镀液相当稀并且含有强还原剂,从而可在导电构件上自引发。所述镀液可以在沉积不含颗粒的覆盖层时对导电层提供原地清洁工艺。在一种实施方式中,提供了形成无电沉积溶液的方法,该方法包括将去离子水与包含第一络合剂的调节缓冲溶液、包含钴源和第二络合剂的含钴溶液以及包含次磷酸盐源和硼烷还原剂的缓冲还原溶液合并。
搜索关键词: 用含钴 合金 进行 选择性 引发 镀覆
【主权项】:
1.一种形成无电沉积溶液的方法,包括:形成具有第一pH值并包含第一络合剂的调节缓冲溶液;形成具有第二pH值并包含钴源、钨源和第二络合剂的含钴溶液;形成具有第三pH值并包含次磷酸盐源和硼烷还原剂的缓冲还原溶液;合并所述调节缓冲溶液、所述含钴溶液和所述缓冲还原溶液以形成无电沉积溶液,该溶液包含:浓度为约1mM至约30mM的钴;浓度为约0.1mM至约5mM的钨;浓度为约5mM至约50mM的次磷酸盐;浓度为约5mM至约50mM的硼烷;和为约8至约10的总pH值。
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