[发明专利]半导体电极及其制造方法、和使用该半导体电极的光电池有效
| 申请号： | 200480036546.7 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1890838A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 山田由佳;铃木信靖;森永泰规;佐佐木英弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04;B01J35/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种发挥更优良的光电转换机能的光电池。本发明是包括半导体电极、电解质和对电极的光电池，其中，(1)所述半导体电极包括具有光催化活性的氧化物半导体层；(2)所述氧化物半导体层包括由金属氧化物构成的一次粒子凝集而成的二次粒子；(3)所述一次粒子的平均粒径为1nm以上50nm以下，而且所述二次粒子的平均粒径为100nm以上10μm以下；(4)所述光电池通过将与所述二次粒子的平均粒径实质上相同的波长的光，照射到半导体电极上，来产生电动势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电极 及其 制造 方法 使用 光电池 | ||
【主权项】：
1.一种光电池，其特征在于，包括：半导体电极、电解质和对电极，其中，(1)所述半导体电极包括具有光催化活性的氧化物半导体层；(2)所述氧化物半导体层包括由金属氧化物构成的一次粒子凝集而成的二次粒子；(3)所述一次粒子的平均粒径为1nm以上50nm以下，而且所述二次粒子的平均粒径为100nm以上10μm以下；(4)所述光电池通过将与所述二次粒子的平均粒径实质上相同的波长的光，照射到所述半导体电极上，来产生电动势。
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