[发明专利]利用动态预测热模型的用于高温斜率应用的晶片温度轨迹控制方法无效
申请号: | 200480036688.3 | 申请日: | 2004-12-09 |
公开(公告)号: | CN1890777A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | B·马修斯;J·威利斯;P·路斯提伯 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯技术公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘春元;梁永 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及在热处理系统中热处理衬底的方法。该方法包括提供一目标衬底温度和产生该衬底的移动图于该热处理系统之内。在第一位置中提供热量给该衬底,及在第一位置和依据该一个或更多个测量的温度、该衬底的位置以及该热处理系统与该衬底的热模型产生的该衬底上的理论位置来测量相关联于该衬底的一个或更多个相应位置的一个或更多个温度。根据该衬底的移动图产生该衬底的预测温度图,其中该预测温度图基于该一个或更多个测量的温度及该衬底的理论位置,以及基于该预测的温度图确定最大的预测温度。因此,当该最大的预测温度大于或等于该目标衬底温度时,该衬底根据该移动图而移动至第二位置。此外,偏差可被用于修正该理论位置中的错误。 | ||
搜索关键词: | 利用 动态 预测 模型 用于 高温 斜率 应用 晶片 温度 轨迹 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种热处理衬底的方法,该方法包含:提供希望的衬底温度图;在热处理系统中提供热量至该衬底;测量相关联于该衬底上的一个或更多个相应位置的一个或更多个温度;产生预测温度图,其中该衬底的预测温度是依据所提供的该热量及该一个或更多个测量的温度的;以及依据该预测温度图来调整提供给该衬底的热量,其中该衬底通常是根据该希望的衬底温度图予以热处理。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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