[发明专利]用于CMOS的应变晶体管集成

摘要

本发明各实施例涉及一种CMOS器件，该器件具有(1)选择性沉积在缓变硅着基片的第一区域上的硅材料的NMOS材料，使得选择性沉积硅材料承受由于该硅材料的晶格间距比第一区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距小而产生的拉伸应变，以及(2)选择性沉积在基片的第二区域上的硅锗材料的PMOS沟道，使得选择性沉积硅锗材料承受由于该选择性沉积硅锗材料的晶格间距比第二区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距大而产生的压缩应变。

主权项

1.一种方法，包括：将第一层形成为适用作基片的第一区域上的第一电路器件的第一沟道，所述第一层包括具有与限定所述基片的第一界面表面的基片材料的基片晶格间距不同的第一晶格间距的第一材料；以及将第二层形成为适用作基片的不同第二区域上的第二电路器件的第二沟道，所述第二层包括具有与第一晶格间距不同，且与限定所述基片的第二界面表面的基片材料的基片晶格间距不同的第二晶格间距的不同第二材料。