[发明专利]印刷电路嵌入式电容器无效
| 申请号： | 200480037296.9 | 申请日： | 2004-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1894758A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·T·克罗斯韦尔;格雷戈里·J·杜恩;罗伯特·B·伦普科夫斯基;阿伦·V·通加雷;约维察·萨维奇 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01G4/20 | 分类号： | H01G4/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 嵌入到印刷电路结构中的多个电容器之一包括：第一电极(415)，覆盖在印刷电路结构的第一衬底层(505)之上；晶体化介电氧化物核(405)，覆盖在第一电极之上；第二电极(615)，覆盖在晶体化介电氧化物核之上；以及高温抗氧化剂层(220)，位于晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个之间，并且同晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个相接触。所述晶体化介电氧化物核的厚度小于1微米，电容密度大于1000pF/mm2。多个电容器中每个的材料和厚度都相同。晶体化介电氧化物核可与多个电容器中所有其他电容器的晶体化介电氧化物核相隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 印刷电路 嵌入式 电容器 | ||
【主权项】：
1.嵌入到印刷电路结构中的多个电容器，所述多个电容器中的至少一个包括：第一电极，覆盖在印刷电路结构的第一衬底层之上；晶体化介电氧化物核，覆盖在第一电极之上，所述晶体化介电氧化物核的厚度小于1微米，电容密度大于1000pF/mm2，其中，多个电容器中每个的材料和厚度都相同，并且，其中所述晶体化介电氧化物核与多个电容器中所有其他电容器的晶体化介电氧化物核相隔离；第二电极，覆盖在晶体化介电氧化物核之上；以及高温抗氧化剂层，位于晶体化介电氧化物层与第一和第二电极中至少一个之间，并且同晶体化介电氧化物层与第一和第二电极中至少一个相接触。
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