[发明专利]在MOSFET结构中形成应变Si－沟道的方法

摘要

在衬底(1)上形成应变的Si层的方法，包括形成：在Si表面上的外延SiGe层(4)，和通过在外延SiGe层(4)之上外延生长Si层来形成应变的Si层，由于外延生长该Si层被应变，其中衬底(1)是绝缘体上硅衬底，其具有支撑层(1)、埋置的二氧化硅层(BOX)和单晶Si表面层(3)，该方法还包括：Si表面层(3)和外延SiGe层(4)的离子注入，以将Si表面层(3)转换为非晶Si层(3B)，并将一部分外延SiGe层(4)转换为非晶SiGe层(5)，外延SiGe层(4)的另一部分为剩余单晶SiGe层(6)，非晶Si层(3B)、非晶SiGe层和剩余的单晶SiGe层(6)在埋置的二氧化硅层(BOX)上形成层状叠层(3B、5、6)，非晶Si层(3B)与埋置的二氧化硅层(BOX)相邻。

主权项

1.一种在衬底(1)上形成应变的Si层的方法，包括：在单晶硅Si表面上形成外延SiGe层(4)，在所述外延SiGe层(4)之上通过外延生长所述Si层形成所述应变的Si层，由于所述外延生长所述Si层具有应变的状态，其特征在于：所述衬底(1)是绝缘体上硅衬底，其包括支撑层(1)、埋置的二氧化硅层(BOX)和单晶Si表面层(3)，所述的方法还包括：离子注入所述Si表面层(3)和所述外延SiGe层(4)，以将所述Si表面层(3)转换为非晶Si层(3B)并将一部分所述外延SiGe层(4)转换为非晶SiGe层(5)，所述外延SiGe层(4)的另一部分是剩余单晶SiGe层(6)，所述非晶Si层(3B)、所述非晶SiGe层和所述剩余单晶SiGe层(6)在所述埋置的二氧化硅层(BOX)上形成层状叠层(3B、5、6)，所述非晶Si层(3B)与所述埋置的二氧化硅层(BOX)相邻。